Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209 выпускаются специально для применения в телевизионных приёмниках, это КТ209Б1 и КТ209В1. КТ209 выпускаются в двух вариантах корпусов (см. рисунок ниже) и маркируются следующим образом:
вариант 1 - буква типономинала на корпусе;
вариант 2 - на боковой поверхности имеется метка серого цвета, а на торце транзистора метка, соответствующего типономинала.
Вариант 1
КТ209А
А
КТ209Б
Б
КТ209Б1
Б1
КТ209В
В
КТ209В1
В1
КТ209Г
Г
КТ209Д
Д
КТ209Е
Е
КТ209Ж
Ж
КТ209И
И
КТ209К
К
КТ209Л
Л
КТ209М
М
Вариант 2
КТ209А
тёмно-красная
КТ209Б
жёлтая
КТ209В
тёмно-зелёная
КТ209Г
голубая
КТ209Д
синяя
КТ209Е
белая
КТ209Ж
коричневая
КТ209И
серебристая
КТ209К
оранжевая
КТ209Л
светло-табачная
КТ209М
серая
Оба варианта исполнения имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Весит транзистор КТ209 не более 0.3 г.
КТ209 цоколевка
Цоколевка КТ209 показана на рисунке выше.
Электрические параметры транзистора КТ209
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером.
Uкб = 1 В, Iк = 30 мА:
Т = +25°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л
20 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М
40 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е
80 ÷ 240
КТ209К
80 ÷ 160
КТ209Б1, не менее
12
КТ209В1, не менее
30
Т = +100°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л
20 ÷ 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М
40 ÷ 240
КТ209В, КТ209Е
80 ÷ 480
КТ209К
80 ÷ 320
КТ209Б1, не менее
12
КТ209В1, не менее
30
Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л
10 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М
20 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е
40 ÷ 240
КТ209К
40 ÷ 160
КТ209Б1, не менее
6
КТ209В1, не менее
15
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
при Uкб = 5 В, Iк = 10 мА, не менее:
5 МГц
• Коэффициент шума при Iк = 0.2 мА, Uкэ = 5 В, f = 1 кГц
для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более:
5 дБ
• Напряжение насыщения К-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более
0.4 В
• Напряжение насыщения Б-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более
1.5 В
• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более
1 мкА
• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером,
при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА
130÷2500
Ом
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 500 КГц, не более:
50 пФ
• Ёмкость коллекторного перехода при Uэб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более:
100 пФ
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209