ОТ КАТОДА ДО АНОДА
От катода до анода


Поиск по сайту

Транзистор КТ626: КТ626А, КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д


Транзистор КТ626 - эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Основное применение - переключающие устройства, усилители и генераторы КВ диапазона. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса - не более 1 г. На корпусе указывается тип прибора.

Цоколевка транзисторов КТ626

Транзистор КТ626

Электрические параметры транзистора КТ626

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 2 В, Iк = 150 мА:
  Т = +25°C:
    КТ626А, КТ626Д 40 ÷ 250
    КТ626Б 30 ÷ 100
    КТ626В 15 ÷ 45
    КТ626Г 15 ÷ 60
  Т = +85°C:
    КТ626А, КТ626Д 40 ÷ 500
    КТ626Б 30 ÷ 200
    КТ626В 15 ÷ 90
    КТ626Г 15 ÷ 120
  Т = −40°C:
    КТ626А, КТ626Д 20 ÷ 250
    КТ626Б 15 ÷ 100
    КТ626В 8 ÷ 45
    КТ626Г 8 ÷ 60
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее:
    КТ626А, КТ626Б 75 МГц
    КТ626В, КТ626Г, КТ626Д 45 МГц
• Напряжение насыщения К-Э
КТ626А, КТ626Б при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА и
КТ626В, КТ626Г, КТ626Д при Iк = 500 мА, Iб = 100 мА, не более
1 В
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте  
при Uкб = 10 В, Iэ = 30 мА, f = 5 МГц, не более
500 пс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб о = 10 В, не более 150 пФ
• Обратный ток коллектора не более:
  КТ626А:
    при Uкб о = 30 В 10 мкА
    при Uкб о = 45 В 1 мА
  КТ626Б, КТ626В при Uкб о = 30 В и
  КТ626Г, КТ626Д при Uкб о = 20 В:
150 мкА
  КТ626Б при Uкб о = 60 В и КТ626В при Uкб о = 80 В: 1 мА
• Обратный ток эмиттера при Uэб о = 4 В, не более:
  КТ626А 10 мкА
  КТ626Б, КТ626В, КТ626Г, КТ626Д 300 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ626

• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ626А 45 В
  КТ626Б 60 В
  КТ626В 80 В
  КТ626Г, КТ626Д 20 В
• Ток коллектора (постоянный) 500 мА
• Ток коллектора (импульсный) 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
    при Тк ≤ +60°C 6.5 Вт
    при Тк = +85°C 4 Вт
• Тепловое сопротивление переход - корпус 10°C/Вт
• Температура p-n перехода +125°C
• Рабочая температура (окружающей среды)  
−40...+85°C