Транзистор КТ645 - универсальный, кремниевый, структуры n-p-n, эпистаксиально-планарный. Основное применение - быстродействующие импульсные устройства, высокочастотные генераторы и усилители. Имеет гибкие выводы и пластмассовый корпус. Масса не более 0.3 г. Тип прибора указывается на этикетке.
Цоколевка транзисторов КТ645
Электрические параметры транзистора КТ645
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
КТ645А при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА
20 ÷ 200
КТ645Б при Uкб = 10 В, Iэ = 2 мА, не менее
80
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкб = 10 В, Iэ = 50 мА, не менее
200 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц, не более
120 пс
• Напряжение насыщения К-Э, не более:
КТ645А при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА
0.5 В
КТ645Б при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА
0.05 В
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более
50 нс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более
5 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более
50 пФ
• Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, не более:
Т = −45...+25°C
10 мкА
Т = +85°C
100 мкА
• Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, не более
10 мкА
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ645
• Напряжение К-Б (постоянное):
КТ645А
60 В
КТ645Б
40 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
КТ645А
50 В
КТ645Б
40 В
• Напряжение Э-Б (постоянное):
4 В
• Ток коллектора (постоянный)
300 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи = 10 мкс, Q = 5
600 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т = −45... +25°C
0.5 Вт
при Т = +85°C
0.25 Вт
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная)
при tи = 10 мкс, Q = 5, Т = −45...+55°C
