Рейтинг@Mail.ru
ОТ КАТОДА ДО АНОДА
От катода до анода


Поиск по сайту

Транзистор КТ645: КТ645А, КТ645Б


Транзистор КТ645 - универсальный, кремниевый, структуры n-p-n, эпистаксиально-планарный. Основное применение - быстродействующие импульсные устройства, высокочастотные генераторы и усилители. Имеет гибкие выводы и пластмассовый корпус. Масса не более 0.3 г. Тип прибора указывается на этикетке.

Цоколевка транзисторов КТ645

Транзистор КТ645

Электрические параметры транзистора КТ645

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
  КТ645А при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА 20 ÷ 200
  КТ645Б при Uкб = 10 В, Iэ = 2 мА, не менее 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ  
при Uкб = 10 В, Iэ = 50 мА, не менее
200 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц, не более
120 пс
• Напряжение насыщения К-Э, не более:
  КТ645А при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА 0.5 В
  КТ645Б при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА 0.05 В
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА, не более 50 нс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более 5 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более 50 пФ
• Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, не более:
  Т = −45...+25°C 10 мкА
  Т = +85°C 100 мкА
• Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ645

• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ645А 60 В
  КТ645Б 40 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
  КТ645А 50 В
  КТ645Б 40 В
• Напряжение Э-Б (постоянное): 4 В
• Ток коллектора (постоянный) 300 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи = 10 мкс, Q = 5 600 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
  при Т = −45... +25°C 0.5 Вт
  при Т = +85°C 0.25 Вт
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная)  
при tи = 10 мкс, Q = 5, Т = −45...+55°C
1 Вт
• Температура p-n перехода +150°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −45...+85°C