Рейтинг@Mail.ru
ОТ КАТОДА ДО АНОДА
От катода до анода


Поиск по сайту

Транзистор КТ940: КТ940А, КТ940Б, КТ940В


Транзистор КТ940 - усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, мезапланарный. Основное применение - выходные каскады видеоусилителей телевизоров. Транзистор КТ940А-КТ940В имеет жёсткие выводы и металлостеклянный корпус. Тип указывается на корпусе. Весит не более 0.7 г. Транзистор КТ940А-5-КТ940В-5 выпускается на пластине с контактными площадками в виде неразделённых кристаллов. Этот тип транзисторов применяется для гибридных интегральных микросхем. Тип указывается на этикетке. Его масса не более 0.01 г.

Цоколёвка КТ940A, KT940Б, КТ940В

Транзистор КТ940

Цоколёвка КТ940A-5, KT940Б-5, КТ940В-5

Транзистор КТ940-5

Электрические параметры транзистора КТ940

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее
25
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 10 В, Iк = 15 мА, не менее:
90 МГц
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 30 мА, Iб = 6 А, не более 1 В
• Ёмкость коллекторного перехода  при Uкб = 30 В, не более 5.5 пФ
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 250 В:
при Uкб = 250 В для КТ940А, КТ940А-5, не более 50 нА
при Uкб = 200 В для КТ940Б, КТ940Б-5, не более 50 нА
при Uкб = 100 В для КТ940В, КТ940В-5, не более 50 нА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 3 В, не более 50 нА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ940

• Напряжение К-Б (постоянное):
КТ940А, КТ940А-5 300 В
КТ940Б, КТ940Б-5 250 В
КТ940В, КТ940В-5 160 В
• Напряжение К-Э (постоянное):
КТ940А, КТ940А-5 300 В
КТ940Б, КТ940Б-5 250 В
КТ940В, КТ940В-5 160 В
• Постоянное напряжение Э-Б 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 100 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи = 30 мкс, Q = 10   300 мА
• Ток базы (постоянный) 50 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
без теплоотвода, T = −45...+25°C 1.2 Вт
с теплоотводом:
  Tк = −45...+25°C, Uкб = 100 В 10 Вт
  Tк = +85°C 6 Вт
• Тепловое сопротивление:
переход - корпус 10°C/Вт
переход - среда 104°C/Вт
• Температура p-n перехода +150°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −45°C ... +85°C