Транзистор КТ603 - структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Основное применение - высокочастотные переключающие и импульсные устройства. Имеет гибкие выводы и металло-стеклянный корпус. На корпусе указывается тип транзистора. Масса - 1.75 г.
Цоколевка транзистора КТ603
Цоколевка КТ603 показана на рисунке.
Электрические параметры транзистора КТ603
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В, КТ603Д
20 ÷ 80
КТ603А, КТ603В
10 ÷ 80
2Т603Б, 2Т603Г
60 ÷ 180
КТ603Б, КТ603Г, не менее
60
КТ603Е
60 ÷ 200
при Iэ = 350 мА для 2Т603И, не менее
20
типовое значение
50
при Т = −60°C, Iэ = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В
8 ÷ 80
2Т603Б, 2Т603Г
20 ÷ 180
2Т603И, не менее
8
при Т = +125°C, Iэ = 150 мА:
2Т603А, 2Т603В
20 ÷ 180
2Т603Б, 2Т603Г
60 ÷ 400
2Т603И, не менее
20
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее
200 МГц
типовое значение
370 МГц
• Напряжение насыщения К-Э:
при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, не более
0.8 В
типовое значение
0.2 В
КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е не более
1 В
при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не менее
1.2 В
• Напряжение насыщения Б-Э:
при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г,
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более
1.5 В
типовое значение
0.9 В
при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не более
1.3 В
типовое значение
1 В
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более
70 нс
типовое значение
40 нс
КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более
100 нс
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при Iэ = 30 мА, Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более
400 пс
типовое значение
25 пс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более
15 пФ
типовое значение
3 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, f = 5 МГц, не более
40 пФ
типовое значение
35 пФ
• Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25°C и Uкб о = 30 В:
2Т603А, 2Т603В, 2Т603И
3 мкА
КТ603А, КТ603Б
10 мкА
при Uкб о = 15 В:
2Т603В, 2Т603Г
3 мкА
КТ603В, КТ603Г
5 мкА
при Uкб о = 10 В для КТ603Д, КТ603Е
1 мкА
при Т = +125°C и Uкб о = 24 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И
60 мкА
при Uкб о = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г
60 мкА
• Обратный ток эмиттера, не более:
при Uэб о = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В,
2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е
3 мкА
при Uэб о = 4 В для 2Т603И
3 мкА
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ603
• Напряжение К-Б и К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
Тп = +70°C:
КТ603А, КТ603Б
30 В
КТ603В, КТ603Г
15 В
КТ603Д, КТ603Е
10 В
Тп = +100°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И
30 В
2Т603В, 2Т603Г
15 В
Тп = +120°C:
КТ603А, КТ603Б
15 В
КТ603В, КТ603Г
7.5 В
КТ603Д, КТ603Е
10 В
Тп = +125°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И
24 В
2Т603В, 2Т603Г
12 В
Тп = +150°C:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И
18 В
2Т603В, 2Т603Г
9 В
• Напряжение Э-Б
5 В
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г
3 В
2Т603И при Тп = +70°C
4 В
2Т603И при Тп = +125°C
3 В
• Ток коллектора (постоянный)
300 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q = 10
600 мА
• Рассеиваемая мощность (постоянная):
при Т = +50°C
0.5 Вт
при Т = +85°C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е
и Т = +125°C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603Г, 2Т603И
