Рейтинг@Mail.ru
ОТ КАТОДА ДО АНОДА
От катода до анода


Поиск по сайту

Транзистор КТ603: КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КЕ603Д, КТ603Е


Транзистор КТ603 - структуры n-p-n, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Основное применение - высокочастотные переключающие и импульсные устройства. Имеет гибкие выводы и металло-стеклянный корпус. На корпусе указывается тип транзистора. Масса - 1.75 г.

Цоколевка транзистора КТ603

Цоколевка КТ603 показана на рисунке.

Транзистор 2Т603

Электрические параметры транзистора КТ603

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером:
  при Uкб = 2 В, Iэ = 150 мА:
    2Т603А, 2Т603В, КТ603Д 20 ÷ 80
    КТ603А, КТ603В 10 ÷ 80
    2Т603Б, 2Т603Г 60 ÷ 180
    КТ603Б, КТ603Г, не менее 60
    КТ603Е 60 ÷ 200
  при Iэ = 350 мА для 2Т603И, не менее 20
  типовое значение 50
  при Т = −60°C, Iэ = 150 мА:
    2Т603А, 2Т603В 8 ÷ 80
    2Т603Б, 2Т603Г 20 ÷ 180
    2Т603И, не менее 8
  при Т = +125°C, Iэ = 150 мА:
    2Т603А, 2Т603В 20 ÷ 180
    2Т603Б, 2Т603Г 60 ÷ 400
    2Т603И, не менее 20
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкэ = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее
200 МГц
  типовое значение 370 МГц
• Напряжение насыщения К-Э:
  при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
    2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, не более 0.8 В
    типовое значение 0.2 В
    КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е не более   1 В
  при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не менее 1.2 В
• Напряжение насыщения Б-Э:
  при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
    2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г,
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более
1.5 В
    типовое значение 0.9 В
  при Iк = 350 мА, Iб = 50 мА для 2Т603И, не более 1.3 В
    типовое значение 1 В
• Время рассасывания при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА:
  2Т603А, 2Т603Б 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более 70 нс
  типовое значение 40 нс
  КТ603А, КТ603Б КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более 100 нс
• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
при Iэ = 30 мА, Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более
400 пс
  типовое значение 25 пс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 5 МГц, не более   15 пФ
  типовое значение 3 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, f = 5 МГц, не более 40 пФ
  типовое значение 35 пФ
• Обратный ток коллектора, не более:
  при Т = +25°C и Uкб о = 30 В:
    2Т603А, 2Т603В, 2Т603И 3 мкА
    КТ603А, КТ603Б 10 мкА
  при Uкб о = 15 В:
    2Т603В, 2Т603Г 3 мкА
    КТ603В, КТ603Г 5 мкА
  при Uкб о = 10 В для КТ603Д, КТ603Е 1 мкА
  при Т = +125°C и Uкб о = 24 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 60 мкА
  при Uкб о = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г 60 мкА
• Обратный ток эмиттера, не более:
  при Uэб о = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В,
  2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е
3 мкА
  при Uэб о = 4 В для 2Т603И 3 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ603

• Напряжение К-Б и К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
  Тп = +70°C:
    КТ603А, КТ603Б 30 В
    КТ603В, КТ603Г 15 В
    КТ603Д, КТ603Е 10 В
  Тп = +100°C:
    2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 30 В
    2Т603В, 2Т603Г 15 В
  Тп = +120°C:
    КТ603А, КТ603Б 15 В
    КТ603В, КТ603Г 7.5 В
    КТ603Д, КТ603Е 10 В
  Тп = +125°C:
    2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 24 В
    2Т603В, 2Т603Г 12 В
  Тп = +150°C:
    2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 18 В
    2Т603В, 2Т603Г 9 В
• Напряжение Э-Б 5 В
  2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г 3 В
  2Т603И при Тп = +70°C 4 В
  2Т603И при Тп = +125°C 3 В
• Ток коллектора (постоянный) 300 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q = 10 600 мА
• Рассеиваемая мощность (постоянная):
  при Т = +50°C 0.5 Вт
  при Т = +85°C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е  
  и Т = +125°C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603Г, 2Т603И
0.12 Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда 200°С/Вт
• Температура p-n перехода:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И +150°C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е +120°C
• Температура окружающей среды:
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И −60 ÷ +125°C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е −40 ÷ +85°C