Транзистор КТ605 - мезапланарный, структуры n-p-n, кремниевый. Применяется в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах, усилителях. КТ605А и КТ605Б имеют гибкие выводы и металлостеклянный корпус массой не более 2 г. КТ605АМ и КТ605БМ имеют жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса пластмассового варианта - не более 1 г.
Цоколевка КТ605 показана на рисунке.
Электрические параметры транзистора КТ605
• Коэффициент передачи тока (статический).
Схема с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА:
КТ605А, КТ605АМ
10 ÷ 40
КТ605Б, КТ605БМ
30 ÷ 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ
при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА, не менее
40 МГц
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 40 В, f = 2 МГц, не более
7 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, f = 2 МГц, не более
50 пФ
• Напряжение насыщения К-Э
при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА, не более
8 В
• Обратный ток К-Э при Uкэ = 250 В, не более
20 мкА
• Обратный ток эмиттера при Uэб о = 5 В, не более
50 мкА
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ605
• Напряжение К-Б (постоянное):
при Т = +100°C
300 В
при Т = +150°C
150 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 КОм:
при Т = +100°C
250 В
при Т = +150°C
125 В
• Напряжение Э-Б (постоянное):
при Т = +100°C
5 В
при Т = +150°C
2.5 В
• Ток коллектора (постоянный)
100 мА
• Ток коллектора (импульсный)
200 мА
• Рассеиваемая мощность (постоянная):
Т = +25°C
400 мВт
Т = +100°C
170 мВт
• Тепловое сопротивление переход - среда:
300°C/Вт
• Температура p-n перехода
+150°C
• Рабочая температура (окружающей среды и корпуса)
